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普及通信發(fā)展不可或缺的半導(dǎo)體材料“GaN”（氮化鎵）

高速、大容量、低時(shí)延、超海量連接的5G已經(jīng)開(kāi)始應(yīng)用，著眼于未來(lái) 5 到 10 年5G（Beyond 5G）和 6G 的技術(shù)開(kāi)發(fā)也已經(jīng)開(kāi)始。，氮化鎵（GaN）正在成為高效帶寬、高功率頻率無(wú)線通信領(lǐng)域的主流半導(dǎo)體材料。GaN具有比SiC（碳化硅）更穩(wěn)定的鍵合結(jié)構(gòu)和更高的介電擊穿強(qiáng)度，作為半導(dǎo)體材料也備受關(guān)注。它還具有寬禁帶。此外，由于它的禁帶寬度寬可以在高壓下使用，有望進(jìn)一步降低功耗，提高電子設(shè)備的效率。

需求

采用前的狀態(tài)、問(wèn)題

能夠承受高電壓的單層陶瓷電容。

解決方案

問(wèn)題的解決策略

制造額定電壓200V的高壓?jiǎn)螌犹沾呻娙萜鳎哂?個(gè)特性。

要點(diǎn)

決定采用的理由

從電介質(zhì)基板的制造到批量生產(chǎn)，都能提供滿足客戶需求的產(chǎn)品。

結(jié)果

情況與效果

與MOS電容相比，提高了功率附加效率（PAE），實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體的功效。

需求采用前的狀態(tài)、問(wèn)題

耐高壓?jiǎn)螌犹沾呻娙萜?/strong>

在GaN半導(dǎo)體中，單層陶瓷電容也用于阻抗匹配，在漏極側(cè)高壓下使用，所以能承受高電壓的單層陶瓷電容是必不可少的。除了偏置電壓之外，還疊加了放大的高頻電壓，因此要求單層陶瓷電容器具有高耐壓，并在額定電壓范圍內(nèi)留有余量。

解決方案問(wèn)題的解決策略

制造額定電壓200V的單層陶瓷電容。

Tecdia因??應(yīng)市場(chǎng)需求，制作了以下規(guī)格的高壓?jiǎn)螌犹沾呻娙萜鳂訖C(jī)。

Tecdia 的高壓?jiǎn)螌犹沾呻娙萜骶哂形鍌€(gè)特點(diǎn)。
1．介電擊穿電壓達(dá)到 500 V 或更高，是高壓應(yīng)用的理想選擇
2．高可靠性
3．通過(guò)定制為矩形，可以對(duì)應(yīng)狹長(zhǎng)空間的封裝需求（L:W = 最大 8:1）
4．定制尺寸和電容值提供上佳解決方案
5．導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂附著保護(hù)熱敏外圍組件

要點(diǎn)決定采用的理由

從電介質(zhì)基板的制造到批量生產(chǎn)，都能提供滿足客戶需求的產(chǎn)品。

在 Tecdia，我們生產(chǎn) 40 到 50,000 材介電基板，從粘合到內(nèi)部燒制，可實(shí)現(xiàn)適用于高壓應(yīng)用的極高絕緣性能。我們從制造介電基板到產(chǎn)品批量生產(chǎn)，我們可以根據(jù)客戶需求定制尺寸和電容值。

結(jié)果情況與效果

實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體高效率

我們通過(guò)使用高壓?jiǎn)螌犹沾呻娙萜鲀?yōu)化阻抗實(shí)現(xiàn)了高效率，并且我們收到了與 MOS 電容器相比功率附加效率（PAE）有所提高的反饋。

高壓?jiǎn)螌犹沾呻娙萜鞯膽?yīng)用示例包括用于軍用無(wú)線電設(shè)備放大半導(dǎo)體的偏置電路和阻抗匹配。目前，我們的常規(guī)產(chǎn)品系列中沒(méi)有符合客戶需求的高壓電容，但在與客戶確認(rèn)規(guī)格后，我們提供完全符合客戶需求的替代產(chǎn)品。如有需要請(qǐng)聯(lián)系我們。

分類：通信（光通信/無(wú)線通信/5G/6G)

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